9月28日，人民银行发布消息称，人民银行设立设备更新改造专项再贷款，专项支持金融机构以不高于3.2%的利率向制造业、社会服务领域和中小微企业、个体工商户等设备更新改造提供贷款。 据介绍，设备更新改造专项再贷款额度为2000亿元以上，利率1.75%，期限1年，可展期2次，每次展期期限1年，发放对象包括国家开发银行、政策性银行、国有商业银行、中国邮政储蓄银行、股份制商业银行等21家金融机构，按照金融机构发放符合要求的贷款本金100%提供资金支持。
了解到目前各学院正在进行项目申报，致真精密仪器为您提供“多功能磁光克尔显微镜、磁场探针台、MOKE磁性测量仪、TR-MOKE、AGM高精度磁强计、Spin-pumping测试系统、超导低温磁场探针台”等磁学与自旋电子学领域的前沿科研设备，我们的产品专家可以提供免费的项目申报辅助、产品调研与报价、采购论证工作，希望能够为您带来一定的帮助！
另外，我们可以为各位老师提供免费测试服务，有“磁畴测试”、“SOT磁畴反转”、“斯格明子观测”、“转角/变场二次谐波”、“ST-FMR测量”等相关测试需求的老师，可以随时与我们联系。
致真精密仪器公司与北航集成电路学院合作研发了性能国际领先的多功能磁光克尔显微镜，可对磁性材料和自旋电子器件进行高分辨磁畴成像，分辨率可达180纳米，能够清晰观察硅钢材料、永磁材料、纳米磁性薄膜、自旋电子器件中的磁畴变化，研究斯格明子磁泡、磁性材料缺陷等微观结构。为适应前沿科学研究和产品研发的多场景测试需求，配置高度智能化的控制系统和多功能磁场探针台，将光学成像、多维磁场、电学输运表征、微波测试、变温模块集成于一体，一键操作便能实现磁场、电流、自旋轨道矩、自旋转移矩等各种激励条件下的磁动力学过程观察。可在二次谐波、ST-FMR测量的同时，同步观察磁性变化；微秒级快速反应磁场，能够进行高精度磁畴速度测量和DMI测量。
四款MOKE磁滞回线测量仪：①基础便携款，极高性价比，满足实验室日常的PMA薄膜检测需求；②高精度科研级，可高精度测量面内面外磁滞回线，克尔转角检出精度0.5mdeg；③工业级，可检测8寸晶圆MRAM膜堆和器件阵列的自由层/参考层/钉扎层磁性翻转；④时间分辨MOKE，在飞秒尺度表征磁动力学过程，主要用于研究超快退磁行为、超快磁矩翻转、自旋进动。
多功能磁场探针台，可以施加一维、二维磁场，进行AMR、Second Harmonic、ST-FMR测试（配测试软件）。 致真精密仪器的系列产品已经应用于清华大学，中科院等顶尖科研机构，并多次助力科研工作者取得高水平科研成果。
精益求精、追求卓越，致真精密仪器致力于为中国磁学工作者提供质量可靠、独树一帜的仪器设备，助力中国磁学研究走向国际领先，引领世界磁学发展。
致真精密为您提供以下产品：
多功能高分辨磁光克尔显微成像系统系列
1、【自旋测试多功能克尔显微镜】
- 型号：KMPL-Spin-X
- 设备用途： 极向+纵向+横向三维磁光克尔成像 多维度磁场探针台：面内磁场+垂直磁场+电输运+超快磁场
- 领域：电输运与磁光成像结合应用于自旋电子学材料和器件表征
- 技术指标：点击查看
- 价格：欢迎电话垂询
2、【传统磁性材料测试克尔显微镜】
- 型号：KMPL-Mag-X
- 设备用途： 极向+纵向+横向三维磁光克尔成像 面内磁场(1.4T)+垂直磁场(1.1T)+低温(4K-600K)
- 领域：硅钢 永磁等磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标：点击查看
- 价格：欢迎电话垂询
3、【低温强磁场微区激光克尔显微成像系统】
- 型号：Laser-KMP
- 设备用途：磁场+电学+低温下的磁畴动态观测
- 领域：磁性二维材料
- 技术指标：点击查看
- 价格：欢迎电话垂询
MOKE磁滞回线测量仪系列
1、【科研级磁滞回线测量仪】
- 型号：PL-MOKE
- 设备用途：高精度磁滞回线测量
- 领域：磁性材料、自旋电子薄膜及器件
- 技术指标：点击查看
- 价格：欢迎电话垂询
2、【微型MOKE磁滞回线测量仪（垂直）】
- 型号：Mini-MOKE-OOP
- 设备用途：PMA薄膜磁滞回线快速检测
- 领域：磁性材料、自旋电子薄膜及器件
- 技术指标：点击查看 价格：20万
3、【微型MOKE磁滞回线测量仪（面内）】
- 型号：Mini-MOKE-InP
- 设备用途：面内各向异性材料磁滞回线快速检测
- 领域：磁性材料、自旋电子薄膜及器件
- 技术指标：点击查看
- 价格：20万
4、【晶圆级磁光克尔测量仪】
- 型号：Wafer-MOKE
- 设备用途：晶圆膜堆的磁性测量
- 领域：MRAM及磁传感器研发
- 技术指标：点击查看
- 价格：欢迎电话垂询
5、【TR-MOKE】
- 型号：TR-M-1000
- 设备用途：在飞秒尺度表征磁动力学过程，主要用于研究超快退磁行为、超快磁矩翻转、自旋进动
- 领域：磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 1.中心波长范围：500-900nm 2.脉冲宽度：<100fs 3.pump-probe光程改变范围不低于2000ps, 步长优于10fs 4.磁场的大小和角度：根据客户需求定制 5.变温范围：根据需求可选配低温系统，温度范围：1.7K~350K 6.可以接受的样品尺寸：根据客户需求以及是否选配低温系统而设计 7.探测光光斑直径：约100 μm 8.泵浦光及探测光功率：激光器可选配
- 选配： 1.磁场设计根据客户需求 2.低温系统选配 3.可选配自动对焦功能
- 价格：60-200万
探针台系列
1、【一维面内磁场探针台】
- 型号：PS1DX-MS
- 设备用途：磁电阻测量、二次谐波、ST-FMR
- 领域：导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 面内磁场：最大0.5T@3cm磁极间距，1T@1.5cm磁极间距，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，样品尺寸 ≤30mm*30mm， 4探针或绑线直流测试座，支持样品360°旋转
- 选配：微波探针
- 价格：10-20万
2、【一维垂直磁场探针台】
- 型号：PS1DP-MS
- 设备用途：磁电阻测量、二次谐波、ST-FMR
- 领域：导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 最大场强≥1.2 T，样品尺寸 ≤20mm*20mm，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT， 4探针或绑线直流测试座，支持样品360°旋转
- 选配：微波探针
- 价格：10-20万
3、【探针台测试系统及实验技术培训】
- 型号：PS1D-Plus
- 设备用途：磁电阻测量、二次谐波、ST-FMR
- 领域：导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 1、面内磁场：最大0.5T@3cm磁极间距，1T@1.5cm磁极间距，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，样品尺寸 ≤30mm*30mm，4探针 2、垂直磁场：最大场强≥1200 mT，样品尺寸 ≤20mm*20mm，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，4探针 3、含探针台测试系统及实验技术培训服务
- 价格：欢迎电话垂询
4、【SpinPumping测试系统】
- 型号：PS1D-SP
- 设备用途：自旋泵浦效应Spin pumping、铁磁共振FMR测试
- 领域：导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 1、面内磁场：最大0.5T@3cm磁极间距，1T@1.5cm磁极间距，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，样品尺寸 ≤30mm*30mm，4探针 2、垂直磁场：最大场强≥1200 mT，样品尺寸 ≤20mm*20mm，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，4探针 3、高频信号频率：20 GHz 4、含自旋泵浦效应Spin pumping、铁磁共振FMR效应测试控制程序及培训
- 价格：欢迎电话垂询
5、【二维磁场探针台】
- 型号：PS2DY-MS
- 设备用途：磁电阻测量、高频测试
- 领域：导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 1、X-Z平面内二维矢量磁场 面内磁场：0.6T@1cm磁极间距 垂直磁场：最大0.7 T 面内磁场单独施加时，垂直磁场分量优于0.025% 2、X-Y平面内二维矢量磁场 最大磁场强度0.12 T，4探针工位
- 选配：兼容微波探针，可二次开发高频测试
- 价格：19万-40万
6、【晶圆级半自动面内磁场探针台】
- 型号：PS1DX-Auto8
- 设备用途：磁电阻测量、高频测试
- 领域：12 英寸晶圆，且向下兼容 8 英寸、6 英寸、碎片
- 技术指标： 最大场强≥330 mT，样品尺寸12寸及以下，磁场均匀性优于 ±1%@1mm，分辨率优于0.02mT，4探针，可Z轴快速升降
- 选配：Z轴电动调控，兼容微波探针
- 价格：19-40万
7、【晶圆级半自动垂直磁场探针台】
- 型号：PS1DP-Auto8
- 设备用途：磁电阻测量、高频测试
- 领域：12 英寸晶圆，且向下兼容 8 英寸、6 英寸、碎片
- 技术指标： 最大场强≥200 mT，样品尺寸6寸及以下，磁场均匀性优于 ±1%@1mm，分辨率优于0.05mT，4探针，可Z轴快速升降
- 选配：Z轴电动调控，兼容微波探针
- 价格：19-40万
8、【晶圆级探针台高端测试解决方案】
- 型号：PS1D-Auto-Plus
- 设备用途：MRAM及磁传感器综合性能表征
- 领域：半导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 1、面内磁场：最大场强≥330 mT，样品尺寸12寸及以下，磁场均匀性优于 ±1%@1mm，分辨率优于0.02mT，4探针，可Z轴快速升降 2、最大场强≥200 mT，样品尺寸6寸及以下，磁场均匀性优于 ±1%@1mm，分辨率优于0.05mT，4探针，可Z轴快速升降 3、含探针台测试系统实验技术培训服务
- 价格：欢迎电话垂
9、【低温磁场探针台（面内）】
- 型号：PS1DX-Cryo
- 设备用途：磁电阻测量、二次谐波、ST-FMR、SpinPumping
- 领域：半导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 磁场优于0.65T@30mm气隙，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，样品尺寸 ≤30mm*30mm，4探针，低温至4K
- 价格：欢迎电话垂询
10、【低温磁场探针台（垂直）】
- 型号：PS1DP-Cryo
- 设备用途：磁电阻测量、二次谐波、ST-FMR、SpinPumping
- 领域：半导体材料、微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 最大场强≥3T，样品尺寸 ≤20mm*20mm，磁场均匀性优于 ±1%@2mm，分辨率优于0.02mT，4探针，低温至4K
- 价格：欢迎电话垂询
11、【低温探针台】
- 型号：PS-Cryo
- 设备用途：低温器件测试
- 领域：半导体器件、量子芯片
- 技术指标： 样品尺寸：20mm*20mm（支持尺寸升级），低温环境：液氮或液氦温区，4探针或绑线直流测试座，支持样品360°旋转，支持升级微波探针
- 选配：高频高压
- 价格：欢迎电话垂询
12、【晶圆测试探针台】
- 型号：PS-8inch
- 设备用途：半导体器件测试
- 领域：功率半导体、存储器、传感器等
- 技术指标： 样品尺寸：8英寸（支持升级12英寸），4探针或绑线直流测试座，支持样品360°旋转，支持升级程控，探卡测试
- 选配：高频高压
- 价格：欢迎电话垂询
【双极性电源】
- 型号：ZZPWBOP-36-25
- 设备用途：电磁铁励磁驱动
- 技术指标： 输出±36V±25A，电压设置分辨率1mV，电流设置分辨率0.1mA（低量程）/1mA（高量程），可选配高斯计模块实现磁场闭环控制，磁场发生精度优于50uT，磁场测量分辨率1uT
- 选配：高斯计模块
- 价格：欢迎电话垂询
【磁性芯片测试机】
- 设备用途：封装前和封装后的磁存储芯片、磁传感芯片性质综合表征
- 领域：磁传感芯片、磁存储芯片研发及应用
- 技术指标： 可对封装测试芯片实现面内平面与法向平面内的磁场扫描，用于磁性芯片抗磁性能测试
- 价格：欢迎电话垂询
【AGM高精度磁性测量系统】
- 设备用途：各种磁性材料磁滞回线的高精度扫描、磁化强度测量
- 领域：磁学、磁性材料、自旋电子学
- 技术指标：10-7emu
- 价格：欢迎电话垂询
【教学演示系统】
- 设备用途：针对当前集成电路、自旋电子学等相关专业教学演示的需求，通过磁光克尔成像技术与电学测试功能集成，将磁性薄膜及芯片工作原理直观演示
- 领域：芯片、磁学、自旋电子学、物理学、光学等多学科教学
- 技术指标：在6英寸晶圆薄膜上写字并利用磁光克尔效应成像，互动性好
- 价格：20万
【磁场高温真空退火炉】
- 设备用途：样品磁场退火
- 领域：微纳米器件、磁性材料、自旋电子器件
- 技术指标： 真空室及主要零部件材质均为304无磁不锈钢； 样品尺寸：30mm*100mm，磁场0.7 T（其他规格可定制）； 配备分子泵组、数显全量程真空计； 真空度及漏率：① 真空室极限真空度6E-5Pa(冷态)；②漏率<10E-11Pa.L/s; 最高温度1000℃，升温速率优于100K/min，控温精度：±1℃； 磁铁电源：双极性，平滑过零无断点，精度优于0.1mA； 冷却方式：水冷
- 价格：18-30万
【存储器测试机】
- 型号：CTM-PCRAM
- 设备用途： 针对GST和YST样品测试，提供I-V曲线测试 R-V曲线测试、循环擦写测试、功耗测试、高温特性测试等业务的自动化测试解决方案
- 领域： 可应用于相变器件PCRAM、阻变器件RRAM、磁阻器件MRAM、选通管等半导体器件测试可应用于相变器件PCRAM、阻变器件RRAM、磁阻器件MRAM、选通管等半导体器件测试
- 技术指标： 脉冲类型：单脉冲测试模式、脉冲序列测试模式和连续脉冲测试模式。 最小脉宽：300ps（根据用户需求选配，最小可配备100ps选件） 幅值：10V 最小测量分辨率：100 fA/100 nV 样品尺寸：6寸/8寸/12寸 探针类型：直流探针/射频探针 高温范围：500℃
- 选配： 1.极窄脉冲选件 2.探针：直流探针和微波探针可选 3.卡盘：6寸/8寸/12寸 4.低温选配
- 价格：欢迎电话垂询
磁控溅射系统
1、【磁控溅射基础系列】
- 型号：MS-400
- 设备用途： 金属，氧化物等材料薄膜的制备，适用于半导体，超导，自旋磁存储等领域
- 领域：高校、科研院所等在磁性材料，超导等领域极限工艺的探索，以及实验室和集成电路领域实验线半导体材料的研发及生产制造
- 技术指标： 晶圆尺寸：4inch向下兼容 镀膜均匀性：≤±2% 极限真空度：1*10-9mbar 温控：RT-1200℃ 阴极数量：6-7个2inch 电源：DC、RF、DC Plulse 沉积精度:0.1nm 占地面积：L：3m，W：2m，H：2m
- 选配：共焦溅射、低温泵、垂直溅射、自动传输、膜厚仪、工艺菜单定制等 价格：200-400万
2、【磁控溅射基础系列】
- 型号：MS-300
- 设备用途： 金属，氧化物等材料薄膜的制备，适用于半导体，超导，自旋磁存储等领域
- 领域：高校及科研院所在磁性材料，超导等领域的工艺探索
- 技术指标： 晶圆尺寸：4inch向下兼容 镀膜均匀性：≤±2% 极限真空度：5*10-9mbar 温控：RT-800℃ 阴极数量：4-5个2inch 电源：DC、RF、DC Plulse、HIPIMS 沉积精度:0.1nm 占地面积：L：3m，W：2m，H：2m
- 选配：低温泵、自动传输、膜厚仪、工艺菜单定制等
- 价格：100-200万
所有需求均可在官网进行在线留言，我们会安排专业人员与您对接 电话联络：
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