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磁性芯片由于能够提供高速、低功耗的非易失性信息存储而被视为解决未来存储技术瓶颈的关键,性能的优异性与可靠性对整个电子设备的运行稳定和数据安全性至关重要。本产品采用三温抗磁性能测试装置,通过模拟不同温度条件下的磁场环境对芯片的性能和可靠性进行测试来确保芯片在多个极端环境下工作;内置精密的温度传感器实现高精度三温测试、磁场控制系统提供面内与法向平面的稳定可控磁场、无磁测试座和热流仪、电学源表搭建的测试环境可对芯片的磁学/电学性能进行无损、批量性的快速检测,在磁性芯片开发和生产过程中扮演着重要角色。
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励磁系统 X 轴最高磁场强度:≥±2000 Oe X 轴磁场均匀性:≤±1%@2000 Oe@φ35 mm 球形空间 零磁场下磁场真实值:≤0.1 Oe 高精度磁场传感器 磁场监测分辨率:≤10 μT 电动位移台模块 θ 轴调整范围:±180°,旋转精度≤1°,具备绝对位置编码器 温度控制系统 出气口温度支持:-70℃~220℃ 测试环境温度模块 Socket 内部温度范围:-60℃~170℃ 具有监控温度模块,温度精度:≤0.5℃ 温度过冲:≤±0.5℃ Socket 测试座 测试座耐温:-60℃~170℃ 材质:无磁 -

适应磁性芯片测试的全方向励磁、变温环境方案示意图

磁开关芯片磁场工作点测试

TMR角度传感器输出特性曲线

TMR线性传感器温度输出特性曲线
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客户成果 | 北航&致真存储《IEEE Trans. Magn.》:致真精密仪器可靠性测试设备支撑SOT-MRAM磁抗扰度研究
该研究依托致真精密仪器自旋芯片可靠性测试设备,对采用非对称双层磁屏蔽封装的SOT-MRAM器件开展磁抗扰度测试,获取了不同外部磁场强度与方向下MRAM阵列逐Bit读写状态及失效分布。基于实测数据并结合三维有限元仿真,研究系统揭示了强磁场下“条带状失效(Stripe-shaped failure)”的形成机制,为SOT-MRAM高可靠抗磁封装设计提供了可量化的优化依据。
仪器设备:自旋芯片可靠性测试机 发布时间:2026-04-26 阅读全文:点击跳转
自旋芯片可靠性测试机
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