隧穿磁电阻比率测量仪

所属分类

关键词

产品型号：
CIPT 200A
产品简介：
隧穿磁电阻比率测量仪，是基于四探针法与隧穿磁电阻效应，利用多针探头，使测试电流沿样品薄膜平面方向流动并强制穿越磁性多层膜界面，从而实现对晶圆级磁性隧道结（MTJ）薄膜面内隧穿磁电阻比值（TMR%）的非破坏性表征。设备可直接服务于高端磁性存储器（如MRAM）与磁传感器的研发与量产质量控制。通过对隧道势垒层质量评估、测量铁磁/势垒层界面特性，快速生成关键参数的分布图，精准定位工艺波动，极大地提升研发迭代速度和量产良率分析的效率。

样品尺寸	8英寸
磁场方向/大小	垂直磁场：600 mT，面内磁场：170 mT
	磁场方向可程控全自动切换，无需人工介入
	电磁铁位置具备自锁特性，意外情况下不跌落
磁场分辨率	垂直磁场:磁场设置分辨率0.2%F.S.，磁场测量分辨率≤0.1% sensor range
磁场分辨率	面内磁场:磁场设置分辨率1%F.S.
磁场均匀性	垂直磁场：<0.5% (at pin area)；面内磁场：<1% (at pin area)
样品位移台	可实现XY遍历，测试范围：-95mm~+95mm(8英寸)
	分辨率≥1μm
	重复定位精度优于±10μm
光学变倍	8.4 × ~58 ×
RH 测量	具备
RA 量测范围	5~00 KΩ · μm²
量测重复性	pTMR标样 (10Ω· μm²_^，150%)： RA<3.6%，1 σ MR<1.5%，1 σ